三星预计2025-2026年量产第十代V-NAND闪存，直接跳到430层

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据韩国媒体Elec报道，三星将加快3D NAND的堆叠进程，正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跃升至430层。

三星此前宣布，将在2030年前开发1000层V—NAND闪存与此同时，下一代V—NAND路线图的轮廓也逐渐浮出水面

据报道，三星计划在2024年量产的第九代V—NAND将在280层3D NAND的范围内对于预定2025—2026年量产的第十代V—NAND，三星正在讨论跳过300层，直接上430层

分析称，具体工作正在按照2030年开发1000层V—NAND的目标一步步推进人们还观察到，三星总裁李在镕强调的超级差距战略的实施速度正在加快

此外，据业内人士透露，三星已经拟定了九代，十代等V—NAND单元数量的大致路线图，正在多角度开发产品。

本站了解到，V—NAND是三星在2013年发起的一种闪存技术，通过在垂直堆叠的平面层的三维空间中钻孔来连接每一层。

2013年出现的第一代V—NAND有24层此后又陆续推出了第二代32层，第三代48层，第四代64层，第五代92层，第六代128层，第七代176层每一代都经历了大约一年到一年零六个月的量产

三星宣布2022年11月量产第八代V—NAND，堆叠层数为236层据报道，第八代V—NAND可以提供1Tb的解决方案三星电子没有透露IC的尺寸和实际密度，但他们称之为业界最高的位密度

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