“杭州芯火壹号”HX001芯片发布，超大窗口阻变随机存储器

12 月 17 日，杭州芯火壹号HX001 芯片发布，宣告杭州国家芯火第一颗芯片 —— 超大窗口阻变随机存储器芯片诞生该芯片是杭州国家芯火双创平台共性技术研究的一部分，由杭州国家芯火双创平台与浙江大学微纳电子学院协同开发完成

根据消息显示，杭州芯火壹号HX001 芯片的阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极，插层和阻变层界面处的位置，制备 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 结构，来有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性具有 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 结构的阻变器件不需要 Forming 操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于 106，并减少了对器件的后端集成同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到 40F2，大大提高了阻变器件的集成密度

检测报告显示:HX001 芯片的工作电压小于 5V，所读取的忆阻器阻值窗口远大于 106，在 150℃环境下，分别在 1s，30s，100s，300s，1000s，3000s 时加约 0.1V 小电压对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定，根据模型外推忆阻器所存储的数据可在 150℃环境温度下保持 10 年以上，忆阻器单元面积小于 40F2目前，已申请一项国家发明专利

杭州国家芯火消息称，目前HX001芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。

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